Le développement actuel des communications induit de nombreuses contraintes sur les émetteurs/récepteurs et notamment sur les premiers éléments de la chaîne de réception. Ainsi les antennes, les LNAs et les filtres voient leurs spécifications se durcir. Les filtres par exemple doivent être fortement sélectifs, présenter peu de pertes et être bon marché tout en restant compacts. Les filtres en guide d'onde satisfont certaines de ces contraintes car ils présentent d'excellentes performances électriques, cependant, ils sont coûteux, lourds et encombrants. De plus, leur association à des circuits planaires est difficile. Les filtres planaires présentent une alternative bon marché, ils sont légers et faciles à réaliser. Malheureusement, les performances électriques de tels filtres sont limitées. La technique SIW (Substrate Integrated Waveguide) est une combinaison de ces deux technologies, elle a été introduite dans l'idée de tirer le meilleur de chacune d'elles : la compacité, le coût, la compatibilité et la facilité de réalisation pour les solutions planaires et les performances électriques pour les solutions volumiques. Cette technique consiste à délimiter une cavité remplie de diélectrique dans un substrat planaire. Pour ce faire, les murs électriques supérieurs et inférieurs sont obtenus grâce aux procédés classiques de métallisation. Les faces latérales sont quant à elles réalisées grâce à une ou plusieurs rangées de trous métallisés [1]-[3]. Les cavités résultantes sont habituellement rectangulaires, mais de nouvelles topologies circulaires ont été récemment décrites [4-5]. Elles sont appelées SICCs (Substrate Integrated Circular Cavities) et offrent une flexibilité plus importante que celle des cavités rectangulaires. Cette flexibilité permet non seulement de créer des topologies originales, mais aussi de raccourcir les lignes de transmission entre les divers composants de la chaîne de réception, et ce, afin de faciliter la conception du système et d'augmenter sa compacité. Le masque de l'une d'entre elles ainsi que les dimensions associées sont présentés sur la figure 1. Les réponses électriques simulées et mesurées sont présentées sur la figure 2. Nous proposons ici d'illustrer la flexibilité introduite par ces SICCs au travers de la conception de filtres d'ordre 3.