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Conference papers

Etude de l’« Advanced Spice Model » pour la modélisation des transistor HEMT GaN

Résumé : Le modèle Advanced Spice Model (ASM) développé par S. Khandelwal et al. [1] a été utilisé pour la modélisation d’un transistor GH15 de la fonderie UMS. Il met en jeu le potentiel de surface, calculé à partir du niveau de Fermi (Ef), qui permet de proposer un modèle analytique pour les charges intrinsèques ainsi que le courant de drain. D’ autres effets parasites doivent également être modélisés et mis en équations afin de correspondre au mieux aux mesures (résistances d’accès, effet de grille courte, pièges, température...).
Document type :
Conference papers
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https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-03745063
Contributor : Raphael Sommet Connect in order to contact the contributor
Submitted on : Thursday, August 4, 2022 - 11:33:09 AM
Last modification on : Friday, August 5, 2022 - 3:20:50 AM

File

Actes_conference_JNM2022-ASM.p...
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Identifiers

  • HAL Id : hal-03745063, version 1

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Citation

Alexandre Santos, Julien Frederic, Florent Gaillard, Jean-Christophe Nallatamby, Christopher Chang, et al.. Etude de l’« Advanced Spice Model » pour la modélisation des transistor HEMT GaN. XXIIèmes Journées Nationales Microondes, Jun 2022, Limoges, France. ⟨hal-03745063⟩

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